FDG6321C
库存 ：14550
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.484866 | ￥9.48 |
| 10 | ￥6.333442 | ￥63.33 |
| 100 | ￥4.320203 | ￥432.02 |
| 500 | ￥3.396195 | ￥1698.10 |
| 1000 | ￥3.090997 | ￥3091.00 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 500 mA, 410 mA
漏源电阻 450 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 1.64 nC, 1.1 nC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8.5 ns, 8 ns
正向跨导（Min） 1.45 S, 0.9 S
上升时间 8.5 ns, 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns, 55 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 7 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
零件号别名 FDG6321C_NL
单位重量 28 mg
FDG6321C 同类别型号
注
FDG6321C品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
FDG6321C
型号：FDG6321C
品牌：ON
供货：锐单
库存：14550 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.484866 |
| 10+： | ￥6.333442 |
| 100+： | ￥4.320203 |
| 500+： | ￥3.396195 |
| 1000+： | ￥3.090997 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.48