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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.5 A, 2.4 A
漏源电阻 140 mOhms, 360 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.6 nC, 6.7 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns, 45 ns
正向跨导(Min) 2.7 S, 2.4 S
上升时间 17 ns, 25 ns
典型关闭延迟时间 28 ns, 55 ns
典型接通延迟时间 9 ns, 9 ns
高度 0.8 mm
长度 3 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
零件号别名 TT8M3
单位重量 56.165 mg
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0TT8M3TR
型号:TT8M3TR
品牌:ROHM
供货:锐单
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