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数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥0.898489 | ¥8984.89 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 Enhancement Mode MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 7.3 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 5.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 152 ns
典型接通延迟时间 2 ns
高度 1 mm
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN3053L-13
型号:DMN3053L-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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10000+: | ¥0.898489 |
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