货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥25.206281 | ¥25.21 |
10 | ¥22.685653 | ¥226.86 |
100 | ¥18.238721 | ¥1823.87 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.1 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 24.2 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.6 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25.3 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMN6A09DN8TA
型号:ZXMN6A09DN8TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥25.206281 |
10+: | ¥22.685653 |
100+: | ¥18.238721 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥25.21