货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.987064 | ¥4.99 |
10 | ¥4.239005 | ¥42.39 |
100 | ¥2.946108 | ¥294.61 |
500 | ¥2.300533 | ¥1150.27 |
1000 | ¥1.8699 | ¥1869.90 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 370 mA
漏源电阻 1.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 900 pC
耗散功率 510 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 159 mS
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
高度 1 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1926DL-T1-BE3 SI1926DL-E3
单位重量 7.500 mg
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0SI1926DL-T1-E3
型号:SI1926DL-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.987064 |
10+: | ¥4.239005 |
100+: | ¥2.946108 |
500+: | ¥2.300533 |
1000+: | ¥1.8699 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.99