
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3.143349 | ¥3.14 |
| 10 | ¥2.322713 | ¥23.23 |
| 30 | ¥2.172125 | ¥65.16 |
| 100 | ¥2.021373 | ¥202.14 |
| 500 | ¥1.954335 | ¥977.17 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.7 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.4 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10.6 ns, 10 ns
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26.2 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMC4559DN8TA
型号:ZXMC4559DN8TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥3.143349 |
| 10+: | ¥2.322713 |
| 30+: | ¥2.172125 |
| 100+: | ¥2.021373 |
| 500+: | ¥1.954335 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.14