TPS1120DR
库存 ：718
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥43.446806 | ￥43.45 |
| 10 | ￥28.087443 | ￥280.87 |
| 100 | ￥19.341478 | ￥1934.15 |
| 500 | ￥15.60597 | ￥7802.98 |
| 1000 | ￥14.405216 | ￥14405.22 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 15 V
漏极电流 1.17 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 15 V, + 2 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 5.45 nC
耗散功率 840 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 PMOS Switches
单位重量 74 mg
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注
TPS1120DR品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、TPS1120DR
数据手册PDF
。
TPS1120DR
型号：TPS1120DR
品牌：TI
供货：锐单
库存：718 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥43.446806 |
| 10+： | ￥28.087443 |
| 100+： | ￥19.341478 |
| 500+： | ￥15.60597 |
| 1000+： | ￥14.405216 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥43.45