货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥2.74151 | ¥2.74 |
10 | ¥2.025784 | ¥20.26 |
30 | ¥1.894446 | ¥56.83 |
100 | ¥1.762966 | ¥176.30 |
500 | ¥1.704498 | ¥852.25 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.7 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.4 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10.6 ns, 10 ns
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26.2 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMC4559DN8TA
型号:ZXMC4559DN8TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.74151 |
10+: | ¥2.025784 |
30+: | ¥1.894446 |
100+: | ¥1.762966 |
500+: | ¥1.704498 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥2.74