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起订量:500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
500 | ¥5.270626 | ¥2635.31 |
1000 | ¥4.293512 | ¥4293.51 |
2500 | ¥4.234235 | ¥10585.59 |
5000 | ¥3.849323 | ¥19246.62 |
12500 | ¥3.671634 | ¥45895.43 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 24.2 nC
耗散功率 2.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 7.2 S
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMP6A16DN8QTA
型号:ZXMP6A16DN8QTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
500+: | ¥5.270626 |
1000+: | ¥4.293512 |
2500+: | ¥4.234235 |
5000+: | ¥3.849323 |
12500+: | ¥3.671634 |
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