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ZXMP6A16DN8QTA

DIODES(美台)
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制造商编号:
ZXMP6A16DN8QTA
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:500

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
500 5.270626 2635.31
1000 4.293512 4293.51
2500 4.234235 10585.59
5000 3.849323 19246.62
12500 3.671634 45895.43

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 3.9 A

漏源电阻 125 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 24.2 nC

耗散功率 2.15 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 10 ns

正向跨导(Min) 7.2 S

上升时间 4.1 ns

晶体管类型 2 P-Channel

典型关闭延迟时间 35 ns

典型接通延迟时间 3.5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 750 mg

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ZXMP6A16DN8QTA

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型号:ZXMP6A16DN8QTA

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

500+: ¥5.270626
1000+: ¥4.293512
2500+: ¥4.234235
5000+: ¥3.849323
12500+: ¥3.671634

货期:1-2天

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