
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.26441 | ¥21.26 |
| 10 | ¥17.424577 | ¥174.25 |
| 100 | ¥13.554148 | ¥1355.41 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 24.2 nC
耗散功率 2.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 7.2 S
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
购物车
0ZXMP6A16DN8QTA
型号:ZXMP6A16DN8QTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.26441 |
| 10+: | ¥17.424577 |
| 100+: | ¥13.554148 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.26