HP8M51TB1
库存 ：898
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥31.860354 | ￥31.86 |
| 10 | ￥26.445524 | ￥264.46 |
| 100 | ￥21.047836 | ￥2104.78 |
| 500 | ￥17.80951 | ￥8904.75 |
| 1000 | ￥15.111096 | ￥15111.10 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 170 mOhms, 290 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15 nC, 26.2 nC
耗散功率 7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 14 ns, 19 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns, 75 ns
典型接通延迟时间 13 ns, 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 771.020 mg
HP8M51TB1 同类别型号
注
HP8M51TB1
型号：HP8M51TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：898 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥31.860354 |
| 10+： | ￥26.445524 |
| 100+： | ￥21.047836 |
| 500+： | ￥17.80951 |
| 1000+： | ￥15.111096 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥31.86