货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥1.141528 | ¥1.14 |
10 | ¥0.973694 | ¥9.74 |
30 | ¥0.901871 | ¥27.06 |
100 | ¥0.829942 | ¥82.99 |
500 | ¥0.781989 | ¥390.99 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 235 mOhms, 235 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 1 nC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.5 ns, 8.5 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns, 5.5 ns
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.200 mg
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0SSM6N56FE,LM
型号:SSM6N56FE,LM
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥1.141528 |
10+: | ¥0.973694 |
30+: | ¥0.901871 |
100+: | ¥0.829942 |
500+: | ¥0.781989 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥1.14