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起订量:14
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
14 | ¥7.159741 | ¥100.24 |
125 | ¥6.612787 | ¥826.60 |
250 | ¥6.016163 | ¥1504.04 |
500 | ¥5.021761 | ¥2510.88 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.1 A
漏源电阻 70 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 24.2 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 11 ns, 23 ns
上升时间 3.3 ns, 5.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 28.5 ns, 55 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns, 4.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMC6A09DN8TA
型号:ZXMC6A09DN8TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
14+: | ¥7.159741 |
125+: | ¥6.612787 |
250+: | ¥6.016163 |
500+: | ¥5.021761 |
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