货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.17801 | ¥6.18 |
10 | ¥4.571728 | ¥45.72 |
100 | ¥2.586115 | ¥258.61 |
500 | ¥1.712545 | ¥856.27 |
1000 | ¥1.312951 | ¥1312.95 |
2000 | ¥1.141697 | ¥2283.39 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 235 mOhms, 235 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 1 nC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.5 ns, 8.5 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns, 5.5 ns
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.200 mg
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0SSM6N56FE,LM
型号:SSM6N56FE,LM
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.17801 |
10+: | ¥4.571728 |
100+: | ¥2.586115 |
500+: | ¥1.712545 |
1000+: | ¥1.312951 |
2000+: | ¥1.141697 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.18