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ZXMC6A09DN8TA

DIODES(美台)
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制造商编号:
ZXMC6A09DN8TA
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
渠道:
digikey

库存 :8000

货期:(7~10天)

起订量:14

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
14 12.372008 173.21
125 11.426874 1428.36
250 10.39591 2598.98
500 8.677586 4338.79

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 5.1 A

漏源电阻 70 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 24.2 nC

耗散功率 2.1 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 11 ns, 23 ns

上升时间 3.3 ns, 5.8 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 28.5 ns, 55 ns

典型接通延迟时间 4.9 ns, 4.6 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 750 mg

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ZXMC6A09DN8TA

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型号:ZXMC6A09DN8TA

品牌:DIODES

供货:锐单

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14+: ¥12.372008
125+: ¥11.426874
250+: ¥10.39591
500+: ¥8.677586

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