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整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 onsemi
商标名 UltraFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 25.5 A
漏源电阻 108 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 417 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
上升时间 122 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 81 ns
典型接通延迟时间 36 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 FQB27N25TM_F085
单位重量 4 g
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0FQB27N25TM-F085
型号:FQB27N25TM-F085
品牌:ON
供货:锐单
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货期:7-10天
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