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起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥8.634716 | ¥8634.72 |
2000 | ¥8.120453 | ¥16240.91 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 135 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 870 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.1 ns
正向跨导(Min) 1.9 S
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.6 ns
典型接通延迟时间 2.5 ns
高度 0.95 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 140 mg
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0ZXMD63N03XTA
型号:ZXMD63N03XTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥8.634716 |
2000+: | ¥8.120453 |
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