
货期: 8周-10周
起订量:50
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ¥27.980049 | ¥1399.00 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 78 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 4.83 mm
长度 9.65 mm
宽度 10.41 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Trench Power MOSFET
单位重量 1.600 g
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0IXTA32N20T
型号:IXTA32N20T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 50+: | ¥27.980049 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00