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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.152087 | ¥3456.26 |
6000 | ¥1.077793 | ¥6466.76 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 305 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 304 nC
耗散功率 225 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9.9 ns
正向跨导(Min) 100 mS
上升时间 3.4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15.7 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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0DMN601DMK-7
型号:DMN601DMK-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.152087 |
6000+: | ¥1.077793 |
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