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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥0.952329 | ¥0.95 |
10 | ¥0.806614 | ¥8.07 |
30 | ¥0.733757 | ¥22.01 |
100 | ¥0.679113 | ¥67.91 |
500 | ¥0.6354 | ¥317.70 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 305 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 304 nC
耗散功率 225 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9.9 ns
正向跨导(Min) 100 mS
上升时间 3.4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15.7 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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0DMN601DMK-7
型号:DMN601DMK-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥0.952329 |
10+: | ¥0.806614 |
30+: | ¥0.733757 |
100+: | ¥0.679113 |
500+: | ¥0.6354 |
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