FDG6335N
库存 ：42
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.967723 | ￥6.97 |
| 10 | ￥5.970618 | ￥59.71 |
| 100 | ￥4.455739 | ￥445.57 |
| 500 | ￥3.500921 | ￥1750.46 |
| 1000 | ￥2.705279 | ￥2705.28 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 700 mA
漏源电阻 300 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns
正向跨导（Min） 2.8 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDG6335N_NL
单位重量 28 mg
FDG6335N 同类别型号
注
FDG6335N品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDG6335N
数据手册PDF。
FDG6335N
型号：FDG6335N
品牌：ON
供货：锐单
库存：42 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.967723 |
| 10+： | ￥5.970618 |
| 100+： | ￥4.455739 |
| 500+： | ￥3.500921 |
| 1000+： | ￥2.705279 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.97