CSD87313DMST
库存 ：2000
货期：（7~10天）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥19.898135 | ￥4974.53 |
| 500 | ￥17.410867 | ￥8705.43 |
| 1000 | ￥15.828064 | ￥15828.06 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 5.5 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 28 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns, 13 ns
正向跨导（Min） 149 S, 149 S
上升时间 27 ns, 27 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns, 41 ns
典型接通延迟时间 9 ns, 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 5.500 mg
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注
CSD87313DMST品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD87313DMST
数据手册PDF
。
CSD87313DMST
型号：CSD87313DMST
品牌：TI
供货：锐单
库存：2000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥19.898135 |
| 500+： | ￥17.410867 |
| 1000+： | ￥15.828064 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00