ALD110900SAL
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：6
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 6 | ￥30 | ￥180.00 |
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 10 V
漏极电流 12 mA
漏源电阻 500 Ohms, 500 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 20 mV
耗散功率 500 mW
通道模式 Depletion
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 74 mg
其它
发货限制：
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注
ALD110900SAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ALD110900SAL
数据手册PDF。
ALD110900SAL
型号：ALD110900SAL
品牌：ALD
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 6+： | ￥30 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00