DMN2019UTS-13
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- 制造商编号：
- DMN2019UTS-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：11323
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.085774 | ￥5.09 |
| 10 | ￥4.348337 | ￥43.48 |
| 100 | ￥3.247267 | ￥324.73 |
| 500 | ￥2.551025 | ￥1275.51 |
| 1000 | ￥1.971373 | ￥1971.37 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 8.8 nC
耗散功率 780 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 234 ns
上升时间 78 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 562 ns
典型接通延迟时间 53 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 158 mg
DMN2019UTS-13 同类别型号
注
DMN2019UTS-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN2019UTS-13
数据手册PDF
。
DMN2019UTS-13
型号：DMN2019UTS-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：11323 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.085774 |
| 10+： | ￥4.348337 |
| 100+： | ￥3.247267 |
| 500+： | ￥2.551025 |
| 1000+： | ￥1.971373 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.09