ALD1116PAL
库存 ：82
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥69.840826 | ￥69.84 |
| 10 | ￥62.708408 | ￥627.08 |
| 100 | ￥51.378126 | ￥5137.81 |
| 500 | ￥43.737416 | ￥21868.71 |
| 1000 | ￥36.887081 | ￥36887.08 |
| 2000 | ￥35.042789 | ￥70085.58 |
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.8 mA
漏源电阻 350 Ohms, 350 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 1 g
ALD1116PAL 同类别型号
注
ALD1116PAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ALD1116PAL
数据手册PDF。
ALD1116PAL
型号：ALD1116PAL
品牌：ALD
供货：锐单
库存：82 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥69.840826 |
| 10+： | ￥62.708408 |
| 100+： | ￥51.378126 |
| 500+： | ￥43.737416 |
| 1000+： | ￥36.887081 |
| 2000+： | ￥35.042789 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥69.84