STGWA8M120DF3
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货期：国内（1~3工作日）
起订量：600
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 600 | ￥14.927372 | ￥8956.42 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STGWA8M120DF3
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
IGBT
包装
-
系列
M
零件状态
Active
IGBT 类型
Trench Field Stop
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
16A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
32A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.3V @ 15V, 8A
功率 - 最大值
167W
开关能量
390µJ (on), 370µJ (Off)
输入类型
Standard
栅极电荷
32nC
25°C 时 Td（开/关）值
20ns/126ns
测试条件
600V, 8A, 33Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
103ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 Long Leads
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注
STGWA8M120DF3品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、STGWA8M120DF3
数据手册PDF。
STGWA8M120DF3
型号：STGWA8M120DF3
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 600+： | ￥14.927372 |
货期：1-2天
+ -
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