IRF6612TRPBF
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- 制造商编号：
- IRF6612TRPBF
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：38
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 38 | ￥5.117498 | ￥194.46 |
| 50 | ￥4.912752 | ￥245.64 |
| 100 | ￥4.708171 | ￥470.82 |
| 300 | ￥4.503425 | ￥1351.03 |
| 500 | ￥4.298678 | ￥2149.34 |
| 1000 | ￥4.093933 | ￥4093.93 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRF6612TRPBF
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
包装
Cut Tape (CT)
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
24A (Ta), 136A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.3mOhm @ 24A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
45nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3970pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DIRECTFET™ MX
封装/外壳
DirectFET™ Isometric MX
IRF6612TRPBF 同类别型号
注
IRF6612TRPBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IRF6612TRPBF
数据手册PDF。
IRF6612TRPBF
型号：IRF6612TRPBF
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 38+： | ￥5.117498 |
| 50+： | ￥4.912752 |
| 100+： | ￥4.708171 |
| 300+： | ￥4.503425 |
| 500+： | ￥4.298678 |
| 1000+： | ￥4.093933 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00