货期:国内(1~3工作日)
起订量:8000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
8000 | ¥0.71956 | ¥5756.48 |
16000 | ¥0.673136 | ¥10770.18 |
24000 | ¥0.633043 | ¥15193.03 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 1.7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 28 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0EM6K31GT2R
型号:EM6K31GT2R
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
8000+: | ¥0.71956 |
16000+: | ¥0.673136 |
24000+: | ¥0.633043 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00