ALD111933SAL
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整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥46.211528 | ￥46.21 |
| 10 | ￥41.466816 | ￥414.67 |
| 25 | ￥39.19825 | ￥979.96 |
| 100 | ￥31.359588 | ￥3135.96 |
| 250 | ￥29.617388 | ￥7404.35 |
| 500 | ￥27.87519 | ￥13937.59 |
| 1000 | ￥23.868131 | ￥23868.13 |
| 2500 | ￥23.519692 | ￥58799.23 |
| 5000 | ￥21.429052 | ￥107145.26 |
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 10 V
漏极电流 6.9 mA
漏源电阻 500 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 3.25 V
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 74 mg
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注
ALD111933SAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
ALD111933SAL
型号：ALD111933SAL
品牌：ALD
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥46.211528 |
| 10+： | ￥41.466816 |
| 25+： | ￥39.19825 |
| 100+： | ￥31.359588 |
| 250+： | ￥29.617388 |
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| 1000+： | ￥23.868131 |
| 2500+： | ￥23.519692 |
| 5000+： | ￥21.429052 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥46.21