SIS106DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIS106DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-
- 渠道：
- digikey
库存 ：5945
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.167113 | ￥14.17 |
| 10 | ￥12.693734 | ￥126.94 |
| 25 | ￥12.05338 | ￥301.33 |
| 100 | ￥9.038618 | ￥903.86 |
| 250 | ￥8.952483 | ￥2238.12 |
| 500 | ￥7.661008 | ￥3830.50 |
| 1000 | ￥6.240755 | ￥6240.76 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 18.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 13.5 nC
耗散功率 24 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 25 S
上升时间 5 ns
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SIS106DN-T1-GE3 同类别型号
注
SIS106DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIS106DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SIS106DN-T1-GE3
型号：SIS106DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：5945 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥14.167113 |
| 10+： | ￥12.693734 |
| 25+： | ￥12.05338 |
| 100+： | ￥9.038618 |
| 250+： | ￥8.952483 |
| 500+： | ￥7.661008 |
| 1000+： | ￥6.240755 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.17