ALD114913SAL
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整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥55.251743 | ￥55.25 |
| 10 | ￥49.570731 | ￥495.71 |
| 25 | ￥46.859145 | ￥1171.48 |
| 100 | ￥37.486183 | ￥3748.62 |
| 250 | ￥35.403617 | ￥8850.90 |
| 500 | ￥33.321051 | ￥16660.53 |
| 1000 | ￥28.531151 | ￥28531.15 |
| 2500 | ￥28.114637 | ￥70286.59 |
| 5000 | ￥25.615558 | ￥128077.79 |
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 10 V
漏极电流 12 mA
漏源电阻 500 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.34 V
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Depletion
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 74 mg
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注
ALD114913SAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ALD114913SAL
数据手册PDF。
ALD114913SAL
型号：ALD114913SAL
品牌：ALD
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥55.251743 |
| 10+： | ￥49.570731 |
| 25+： | ￥46.859145 |
| 100+： | ￥37.486183 |
| 250+： | ￥35.403617 |
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| 1000+： | ￥28.531151 |
| 2500+： | ￥28.114637 |
| 5000+： | ￥25.615558 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥55.25