HP8M31TB1

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 4.5 A

漏源电阻 35 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 14 nC

耗散功率 1.25 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 65 ns

上升时间 35 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 110 ns

典型接通延迟时间 10 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET