EM6K31GT2R
库存 ：36528
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.000504 | ￥5.00 |
| 10 | ￥3.900395 | ￥39.00 |
| 100 | ￥2.337379 | ￥233.74 |
| 500 | ￥2.164505 | ￥1082.25 |
| 1000 | ￥1.471863 | ￥1471.86 |
| 2000 | ￥1.354995 | ￥2709.99 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 1.7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 28 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
EM6K31GT2R 同类别型号
注
EM6K31GT2R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、EM6K31GT2R
数据手册PDF。
EM6K31GT2R
型号：EM6K31GT2R
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：36528 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.000504 |
| 10+： | ￥3.900395 |
| 100+： | ￥2.337379 |
| 500+： | ￥2.164505 |
| 1000+： | ￥1.471863 |
| 2000+： | ￥1.354995 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.00