FDG6306P
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.516079 | ￥4548.24 |
| 6000 | ￥1.418253 | ￥8509.52 |
| 15000 | ￥1.320428 | ￥19806.42 |
| 30000 | ￥1.251993 | ￥37559.79 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 600 mA
漏源电阻 420 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 2 nC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 14 ns
正向跨导（Min） 1.8 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 6 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDG6306P_NL
单位重量 28 mg
FDG6306P 同类别型号
注
FDG6306P品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDG6306P
数据手册PDF。
FDG6306P
型号：FDG6306P
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.516079 |
| 6000+： | ￥1.418253 |
| 15000+： | ￥1.320428 |
| 30000+： | ￥1.251993 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00