APTGV50H60T3G
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- 制造商编号：
- APTGV50H60T3G
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 晶体管IGBT
- 商品描述：
- IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTGV50H60T3G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
包装
-
系列
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零件状态
Obsolete
IGBT 类型
NPT, Trench Field Stop
配置
Full Bridge Inverter
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
80A
功率 - 最大值
176W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
1.9V @ 15V, 50A
电流 - 集电极截止（最大值）
250µA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
3.15nF @ 25V
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Yes
工作温度
-
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
APTGV50H60T3G 同类别型号
注
APTGV50H60T3G品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管IGBT
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替代型号
、APTGV50H60T3G
数据手册PDF
。
APTGV50H60T3G
型号：APTGV50H60T3G
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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