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DMN3032LFDB-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN3032LFDB-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
渠道:
digikey

库存 :35555

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 5.051488 5.05
10 4.35691 43.57
100 3.030894 303.09
500 2.366623 1183.31
1000 1.923607 1923.61

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 6.2 A

漏源电阻 30 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 10.6 nC

耗散功率 1.7 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 6.750 mg

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DMN3032LFDB-7

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型号:DMN3032LFDB-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:35555 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥5.051488
10+: ¥4.35691
100+: ¥3.030894
500+: ¥2.366623
1000+: ¥1.923607

货期:7-10天

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