APTM50H14FT3G
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- 制造商编号：
- APTM50H14FT3G
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥833.290237 | ￥833.29 |
| 10 | ￥791.576302 | ￥7915.76 |
| 25 | ￥770.748988 | ￥19268.72 |
| 100 | ￥677.010014 | ￥67701.00 |
| 250 | ￥666.594133 | ￥166648.53 |
| 500 | ￥624.932093 | ￥312466.05 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTM50H14FT3G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
4 N-Channel (H-Bridge)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
26A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
168mOhm @ 13A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
72nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3259pF @ 25V
功率 - 最大值
208W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
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注
APTM50H14FT3G品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 射频晶体管
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、APTM50H14FT3G
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。
APTM50H14FT3G
型号：APTM50H14FT3G
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥833.290237 |
| 10+： | ￥791.576302 |
| 25+： | ￥770.748988 |
| 100+： | ￥677.010014 |
| 250+： | ￥666.594133 |
| 500+： | ￥624.932093 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥833.29