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DGTD65T40S2PT

DIODES(美台)
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制造商编号:
DGTD65T40S2PT
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-IGBT
商品描述:
IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 30.544436 30.54
10 26.454564 264.55
30 25.705714 771.17
100 24.956863 2495.69
500 24.625642 12312.82

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 650 V

饱和电压 1.8 V

栅极/发射极最大电压 20 V

在25 C的连续集电极电流 80 A

耗散功率 230 W

集电极连续电流(Max) 80 A

栅极—射极漏泄电流 100 nA

物理类型

产品种类 IGBT 晶体管

安装风格 Through Hole

产品类型 IGBT Transistors

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DGTD65T40S2PT

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型号:DGTD65T40S2PT

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥30.544436
10+: ¥26.454564
30+: ¥25.705714
100+: ¥24.956863
500+: ¥24.625642

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