货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥30.544436 | ¥30.54 |
10 | ¥26.454564 | ¥264.55 |
30 | ¥25.705714 | ¥771.17 |
100 | ¥24.956863 | ¥2495.69 |
500 | ¥24.625642 | ¥12312.82 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.8 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 230 W
集电极连续电流(Max) 80 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
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0DGTD65T40S2PT
型号:DGTD65T40S2PT
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥30.544436 |
10+: | ¥26.454564 |
30+: | ¥25.705714 |
100+: | ¥24.956863 |
500+: | ¥24.625642 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥30.54