UM6J1NTN
库存 ：6551
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.077206 | ￥6.08 |
| 10 | ￥5.165624 | ￥51.66 |
| 100 | ￥3.855379 | ￥385.54 |
| 500 | ￥3.029609 | ￥1514.80 |
| 1000 | ￥2.341062 | ￥2341.06 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 40 ns
正向跨导（Min） 0.2 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 UM6J1N
单位重量 7.500 mg
UM6J1NTN 同类别型号
注
UM6J1NTN品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、UM6J1NTN
数据手册PDF。
UM6J1NTN
型号：UM6J1NTN
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：6551 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.077206 |
| 10+： | ￥5.165624 |
| 100+： | ￥3.855379 |
| 500+： | ￥3.029609 |
| 1000+： | ￥2.341062 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.08