货期:(7~10天)
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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥2.649776 | ¥2.65 |
10 | ¥2.56337 | ¥25.63 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.8 A
漏源电阻 25 mOhms, 25 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 10.4 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 53.5 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 10.4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 119.3 ns
典型接通延迟时间 16.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMN2029USD-13
型号:DMN2029USD-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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10+: | ¥2.56337 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥2.65