
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.516872 | ¥6.52 |
| 10 | ¥5.256 | ¥52.56 |
| 25 | ¥4.811152 | ¥120.28 |
| 100 | ¥3.021846 | ¥302.18 |
| 250 | ¥2.988129 | ¥747.03 |
| 500 | ¥2.798005 | ¥1399.00 |
| 1000 | ¥1.902643 | ¥1902.64 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 226 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 8.5 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7 mg
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0SSM6P40TU,LF
型号:SSM6P40TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.516872 |
| 10+: | ¥5.256 |
| 25+: | ¥4.811152 |
| 100+: | ¥3.021846 |
| 250+: | ¥2.988129 |
| 500+: | ¥2.798005 |
| 1000+: | ¥1.902643 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.52