FDC6321C
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.609728 | ￥7.61 |
| 10 | ￥6.52772 | ￥65.28 |
| 100 | ￥4.870226 | ￥487.02 |
| 500 | ￥3.826505 | ￥1913.25 |
| 1000 | ￥2.956855 | ￥2956.86 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 680 mA, 460 mA
漏源电阻 450 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 650 mV, 1.5 V
栅极电荷 2.3 nC, 1.5 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 9 ns
正向跨导（Min） 1.45 S, 0.8 S
上升时间 8 ns, 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns, 55 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 7 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
零件号别名 FDC6321C_NL
单位重量 36 mg
FDC6321C 同类别型号
注
FDC6321C品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDC6321C
数据手册PDF。
FDC6321C
型号：FDC6321C
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.609728 |
| 10+： | ￥6.52772 |
| 100+： | ￥4.870226 |
| 500+： | ￥3.826505 |
| 1000+： | ￥2.956855 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.61