ECH8697R-TL-W
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.383586 | ￥4150.76 |
| 6000 | ￥1.285097 | ￥7710.58 |
| 9000 | ￥1.234589 | ￥11111.30 |
| 15000 | ￥1.22714 | ￥18407.10 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 11.6 mOhms
栅极电压 - 12.5 V, + 12.5 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 23600 ns
上升时间 230 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19700 ns
典型接通延迟时间 160 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 19.450 mg
ECH8697R-TL-W 相关产品
ECH8697R-TL-W 同类别型号
注
ECH8697R-TL-W品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购ECH8697R-TL-W、查询ECH8697R-TL-W代理商；
ECH8697R-TL-W价格批发咨询客服；这里拥有
ECH8697R-TL-W中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到ECH8697R-TL-W
替代型号
、ECH8697R-TL-W
数据手册PDF。
ECH8697R-TL-W
型号：ECH8697R-TL-W
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.383586 |
| 6000+： | ￥1.285097 |
| 9000+： | ￥1.234589 |
| 15000+： | ￥1.22714 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00