ECH8697R-TL-W
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.618639 | ￥4855.92 |
| 6000 | ￥1.533512 | ￥9201.07 |
| 9000 | ￥1.419889 | ￥12779.00 |
| 30000 | ￥1.405858 | ￥42175.74 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 11.6 mOhms
栅极电压 - 12.5 V, + 12.5 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 23600 ns
上升时间 230 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19700 ns
典型接通延迟时间 160 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 19.450 mg
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注
ECH8697R-TL-W品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ECH8697R-TL-W
数据手册PDF。
ECH8697R-TL-W
型号：ECH8697R-TL-W
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.618639 |
| 6000+： | ￥1.533512 |
| 9000+： | ￥1.419889 |
| 30000+： | ￥1.405858 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00