ECH8695R-TL-W
库存 ：17019
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.694586 | ￥10.69 |
| 10 | ￥9.240123 | ￥92.40 |
| 100 | ￥6.399641 | ￥639.96 |
| 500 | ￥5.347579 | ￥2673.79 |
| 1000 | ￥4.551046 | ￥4551.05 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 9.1 mOhms
栅极电压 - 12.5 V, + 12.5 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 22.3 us
上升时间 320 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19.7 us
典型接通延迟时间 300 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 19.450 mg
ECH8695R-TL-W 同类别型号
注
ECH8695R-TL-W品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ECH8695R-TL-W
数据手册PDF。
ECH8695R-TL-W
型号：ECH8695R-TL-W
品牌：ON
供货：锐单
库存：17019 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.694586 |
| 10+： | ￥9.240123 |
| 100+： | ￥6.399641 |
| 500+： | ￥5.347579 |
| 1000+： | ￥4.551046 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.69