货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥4.117331 | ¥12351.99 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 35 mOhms, 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 7 ns
正向跨导(Min) 2.2 S, 2.2 S
上升时间 25 ns, 25 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8K11
单位重量 10 mg
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0QS8K11TCR
型号:QS8K11TCR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥4.117331 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00