货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥30.600966 | ¥30.60 |
| 10 | ¥27.484201 | ¥274.84 |
| 25 | ¥25.925818 | ¥648.15 |
| 100 | ¥20.222138 | ¥2022.21 |
| 250 | ¥19.703622 | ¥4925.91 |
| 500 | ¥17.111039 | ¥8555.52 |
| 1000 | ¥14.518458 | ¥14518.46 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9 A, 7 A
漏源电阻 12 mOhms, 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15 nC, 25 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 22 ns, 70 ns
上升时间 15 ns, 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns, 110 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP8M4FRA
单位重量 83 mg
购物车
0SP8M4FRATB
型号:SP8M4FRATB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥30.600966 |
| 10+: | ¥27.484201 |
| 25+: | ¥25.925818 |
| 100+: | ¥20.222138 |
| 250+: | ¥19.703622 |
| 500+: | ¥17.111039 |
| 1000+: | ¥14.518458 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥30.60