FDG6332C-F085
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 700 mA
漏源电阻 300 mOhms, 420 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV, 1.5 V
栅极电荷 1.5 nC, 2 nC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.5 ns, 1.7 ns
正向跨导（Min） 2.8 S, 1.8 S
上升时间 7 nS, 14 nS
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 9 nS, 6 nS
典型接通延迟时间 5 nS, 5.5 nS
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDG6332C_F085
单位重量 28 mg
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注
FDG6332C-F085品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
FDG6332C-F085
型号：FDG6332C-F085
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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