QS8K11TCR

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 3.5 A

漏源电阻 35 mOhms, 35 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 7 nC

耗散功率 1.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 7 ns, 7 ns

正向跨导（Min） 2.2 S, 2.2 S

上升时间 25 ns, 25 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 25 ns, 25 ns

典型接通延迟时间 10 ns, 10 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 QS8K11

单位重量 10 mg