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起订量:18
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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18 | ¥5.631553 | ¥101.37 |
20 | ¥5.414955 | ¥108.30 |
50 | ¥5.198356 | ¥259.92 |
100 | ¥4.981758 | ¥498.18 |
300 | ¥4.765161 | ¥1429.55 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.8 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 35 A
耗散功率 156 W
集电极连续电流(Max) 35 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 SP001540990
单位重量 260.400 mg
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0IRGS10B60KDPBF
型号:IRGS10B60KDPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
18+: | ¥5.631553 |
20+: | ¥5.414955 |
50+: | ¥5.198356 |
100+: | ¥4.981758 |
300+: | ¥4.765161 |
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