
货期:国内(1~3工作日)
起订量:18
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 18 | ¥4.604673 | ¥82.88 |
| 20 | ¥4.42757 | ¥88.55 |
| 50 | ¥4.250468 | ¥212.52 |
| 100 | ¥4.073365 | ¥407.34 |
| 300 | ¥3.896262 | ¥1168.88 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.8 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 35 A
耗散功率 156 W
集电极连续电流(Max) 35 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 SP001540990
单位重量 260.400 mg
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0IRGS10B60KDPBF
型号:IRGS10B60KDPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 18+: | ¥4.604673 |
| 20+: | ¥4.42757 |
| 50+: | ¥4.250468 |
| 100+: | ¥4.073365 |
| 300+: | ¥3.896262 |
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