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起订量:10000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥1.119949 | ¥11199.49 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, NPN
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 430 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 4.8 nC
耗散功率 430 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13.8 ns
上升时间 3.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20.6 ns
典型接通延迟时间 6.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN30H4D1S-13
型号:DMN30H4D1S-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥1.119949 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00